• বিবিবি

উচ্চ ক্ষমতা রূপান্তরকারীতে উচ্চ-শক্তি ঘনত্ব পাওয়ার ক্যাপাসিটার

সংক্ষিপ্ত বিবরণ:

সংক্ষিপ্ত বিবরণ:

 

ক্যাপাসিটর মডেল: DKMJ-S সিরিজ

১. ক্যাপাসিট্যান্সের পরিসর: ১০০uf~২০০০০uf

২. রেটেড ভোল্টেজ: ৬০০ভি.ডিসি~৪০০০ভি.ডিসি

৩. সর্বোচ্চ উচ্চতা: ২০০০ মিটার

৪. গড় আয়ু: ১০০০০০ ঘণ্টা

৫. কার্যকরী তাপমাত্রার পরিসর: সর্বোচ্চ: +৭০℃

উচ্চ শ্রেণীর তাপমাত্রাঃ +৬০℃

নিম্ন শ্রেণীর তাপমাত্রাঃ -৪০℃


পণ্যের বিবরণ

পণ্যের ট্যাগ

ডিকেএমজে-এস সিরিজ

ডিসি ফিল্টার অ্যাপ্লিকেশনের জন্য মেটালাইজড পলিপ্রোপিলিন ক্যাপাসিটর, ড্রাই সলিউশন। উচ্চ শক্তি ঘনত্ব, উচ্চ রেটেড ভোল্টেজ এবং উচ্চ রিপল কারেন্টের কারণে, এগুলি অতিরিক্ত সিরিজ সংযোগ ছাড়াই সহজেই ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরের বিকল্প হতে পারে।

প্রযুক্তিগত তথ্য

কার্যকরী তাপমাত্রার পরিসর সর্বোচ্চ কার্যকরী তাপমাত্রা: +৭০℃

উচ্চ শ্রেণীর তাপমাত্রা: +৬০℃

নিম্ন শ্রেণীর তাপমাত্রা: -৪০℃

ক্যাপাসিট্যান্স পরিসর

১০০μF২০০০০μF

রেটেড ভোল্টেজ

৬০০ ভোল্ট ডিসি৪০০০ ভোল্ট ডিসি

ক্যাপ.টল

±৫%(J);±১০%(K)

সহনশীল ভোল্টেজ

ভিটি-টি

১.৫ইউএন ডিসি/৬০এস

ভিটি-সি

১০০০+২×Un/√২(ভি.এসি)৬০ সেকেন্ড (সর্বনিম্ন ৩০০০ ভোল্ট এসি)

ওভার ভোল্টেজ

১.১ ইউনিট (অন-লোড সময়কালের ৩০%)

১.১৫ মিনিট (প্রতিদিন ৩০ মিনিট)

১.২ আন (প্রতিদিন ৫ মিনিট)

১.৩ আন (১ মিনিট/দিন)

১.৫ আন (প্রতিবার ১০০ মিলিসেকেন্ড, জীবনকালে ১০০০ বার)

অপচয় ফ্যাক্টর

tgδ≤0.003 f=100Hz

tgδ0≤0.0002

ইএসএল

১৫০ এনএইচ

শিখা মন্দন

UL94V-0

সর্বোচ্চ উচ্চতা

২০০০ মিটার

যখন উচ্চতা ২০০০ মিটারের উপরে থেকে ৫০০০ মিটারের নিচে হয়, তখন এর পরিমাণ কমিয়ে ব্যবহারের বিষয়টি বিবেচনা করা প্রয়োজন।

(প্রতি ১০০০ মিটার বৃদ্ধির জন্য ভোল্টেজ ও কারেন্ট ১০% করে কমানো হবে)

আয়ুষ্কাল

100000h (Un; Θhotspot ≤70 °C)

রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড

আইইসি ৬১০৭১; আইইসি ৬১৮৮১;

স্পেসিফিকেশন টেবিল

ভোল্টেজ Un 800V.DC Us 1200V Ur 200V
Cn (μF) W (মিমি) টি (মিমি) H (মিমি) dv/dt (V/μS) আইপি (কেএ) Irms(A)50℃@10KHz ESR (mΩ) @1KHz Rth (K/W) ওজন (কেজি)
৪০০০ ৩৪০ ১২৫ ১৯০ 5 ২০.০ ১২০ ১.১ ০.৯ ১৭.৬
৮০০০ ৩৪০ ১২৫ ৩৫০ 4 ৩২.০ ১৮০ ০.৭২ ০.৬ ৩১.২
৬০০০ ৪২০ ১২৫ ২৪৫ 5 ৩০.০ ১৫০ ০.৯৫ ০.৭ ২৬.৪
১০০০০ ৪২০ ১২৫ ৩৬০ 4 ৪০.০ ২০০ ০.৭২ ০.৫ ৩৯.২
১২০০০ ৪২০ ২৩৫ ২৪৫ 4 ৪৮.০ ২৫০ ০.৯ ০.৩ ৪৯.৬
২০০০০ ৪২০ ২৩৫ ৩৬০ 3 ৬০.০ ৩০০ ০.৬ ০.৩ ৭৩.৬
ভোল্টেজ Un 1200V.DC Us 1800V Ur 300V
Cn (μF) W (মিমি) টি (মিমি) H (মিমি) dv/dt (V/μS) আইপি (কেএ) Irms(A)50℃@10KHz ESR (mΩ) @1KHz Rth (K/W) ওজন (কেজি)
২৫০০ ৩৪০ ১২৫ ১৯০ 8 ২০.০ ১২০ ১.১ ০.৯ ১৭.৬
৩৩০০ ৩৪০ ১২৫ ২৪৫ 8 ২৬.৪ ১৫০ ০.৯৫ ০.৭ ২২.৪
৫০০০ ৪২০ ১২৫ ৩০০ 7 ৩৫.০ ১৮০ ০.৮ ০.৬ ৩২.৮
৭৫০০ ৪২০ ১২৫ ৪৩০ ৫.৫ ৪১.৩ ২০০ ০.৬৬ ০.৬ ৪৪.৮
৫০০০ ৩৪০ ২৩৫ ১৯০ 8 ৪০.০ ২০০ ১.১ ০.৩ ৩২.৮
১০০০০ ৩৪০ ২৩৫ ৩৫০ 6 ৬০.০ ২৫০ ০.৮ ০.৩ ৫৮.৪
৫০০০ ৪২০ ২৩৫ ১৭৫ 8 ৪০.০ ২০০ 1 ০.৪ 36
৭৫০০ ৪২০ ২৩৫ ২৪৫ 7 ৫২.৫ ২৫০ ০.৯ ০.৩ ৪৯.৬
১০০০০ ৪২০ ২৩৫ ৩০০ 7 ৭০.০ ২৫০ ০.৮ ০.৩ ৬১.৬
১৫০০০ ৪২০ ২৩৫ ৪৩০ 5 ৭৫.০ ৩০০ ০.৬ ০.৩ 84
ভোল্টেজ Un 1500V.DC Us 2250V Ur 450V
Cn (μF) W (মিমি) টি (মিমি) H (মিমি) dv/dt (V/μS) আইপি (কেএ) Irms(A)50℃@10KHz ESR (mΩ) @1KHz Rth (K/W) ওজন (কেজি)
১২০০ ৩৪০ ১২৫ ১৯০ 10 ১২.০ ১২০ ১.১ ০.৯ ১৭.৬
৩০০০ ৩৪০ ১২৫ ৪২০ 8 ২৪.০ ১৮০ ০.৬৬ ০.৭ ৩৭.৬
২০০০ ৪২০ ১২৫ ২৪৫ 10 ২০.০ ১৫০ ০.৯৫ ০.৭ ২৬.৪
৪০০০ ৪২০ ১২৫ ৪৩০ 8 ৩২.০ ২০০ ০.৬৬ ০.৬ ৪৪.৮
৫০০০ ৩৪০ ২৩৫ ৩৫০ 8 ৪০.০ ২৫০ ০.৮ ০.৩ ৫৮.৪
৪০০০ ৪২০ ২৩৫ ২৪৫ 10 ৪০.০ ২৫০ ০.৯ ০.৩ ৪৯.৬
৮০০০ ৪২০ ২৩৫ ৪৩০ 8 ৬৪.০ ৩০০ ০.৬ ০.৩ 84
ভোল্টেজ Un 2000V.DC Us 3000V Ur 600V
Cn (μF) W (মিমি) টি (মিমি) H (মিমি) dv/dt (V/μS) আইপি (কেএ) Irms(A)50℃@10KHz ESR (mΩ) @1KHz Rth (K/W) ওজন (কেজি)
১০০০ ৩৪০ ১২৫ ২৪৫ 12 ১২.০ ১৫০ ০.৯৫ ০.৭ ২২.৪
১৫০০ ৩৪০ ১২৫ ৩৫০ 10 ১৫.০ ১৮০ ০.৭২ ০.৬ ৩১.২
২০০০ ৪২০ ১২৫ ৩৬০ 10 ২০.০ ২০০ ০.৭২ ০.৫ ৩৯.২
২৪০০ ৪২০ ১২৫ ৪৩০ 9 ২১.৬ ২০০ ০.৬৬ ০.৬ ৪৪.৮
৩২০০ ৩৪০ ২৩৫ ৩৫০ 10 ৩২.০ ২৫০ ০.৮ ০.৩ ৪৬.৪
৪০০০ ৪২০ ২৩৫ ৩৬০ 10 ৪০.০ ২৮০ ০.৭ ০.৩ ৫৮.৪
৪৮০০ ৪২০ ২৩৫ ৪৩০ 9 ৪৩.২ ৩০০ ০.৬ ০.৩ ৬৭.২
ভোল্টেজ Un 2200V.DC Us 3300V Ur 600V
Cn (μF) W (মিমি) টি (মিমি) H (মিমি) dv/dt (V/μS) আইপি (কেএ) Irms (A)max ESR (mΩ) Rth (K/W) ওজন (কেজি)
২০০০ ৪২০ ২৩৫ ২৪৫ 12 24 ১৫০ ০.৯ ০.৭৪০৭৪০৭৪১ 40
২৭৫০ ৪২০ ২৩৫ ৩০০ 10 ২৭.৫ ২০০ ০.৮ ০.৪৬৮৭৫ ৪৯.৬
৩৫০০ ৪২০ ২৩৫ ৩৬০ 10 35 ২০০ ০.৭ ০.৫৩৫৭১৪২৮৬ ৫৮.৪
ভোল্টেজ Un 3000V.DC Us 4500V Ur 800V
Cn (μF) W (মিমি) টি (মিমি) H (মিমি) dv/dt (V/μS) আইপি (কেএ) Irms (A)max ESR (mΩ) Rth (K/W) ওজন (কেজি)
১০৫০ ৪২০ ২৩৫ ২৪৫ 20 21 ১৫০ ০.৯ ০.৭৪০৭৪০৭৪১ 40
১৪০০ ৪২০ ২৩৫ ৩০০ 15 21 ২০০ ০.৮ ০.৪৬৮৭৫ ৪৯.৬
১৮০০ ৪২০ ২৩৫ ৩৬০ 15 27 ২০০ ০.৭ ০.৫৩৫৭১৪২৮৬ ৫৮.৪
ভোল্টেজ Un 4000V.DC Us 6000V Ur 1000V
Cn (μF) W (মিমি) টি (মিমি) H (মিমি) dv/dt (V/μS) আইপি (কেএ) Irms (A)max ESR (mΩ) Rth (K/W) ওজন (কেজি)
৬০০ ৪২০ ২৩৫ ২৪৫ 20 12 ১৫০ ০.৯ ০.৭৪০৭৪০৭৪১ 40
৮০০ ৪২০ ২৩৫ ৩০০ 20 16 ২০০ ০.৮ ০.৪৬৮৭৫ ৪৯.৬
১০০০ ৪২০ ২৩৫ ৩৬০ 20 20 ২০০ ০.৭ ০.৫৩৫৭১৪২৮৬ ৫৮.৪
ভোল্টেজ Un 2800V.DC Us 4200V Ur 800V
Cn (μF) W (মিমি) টি (মিমি) H (মিমি) dv/dt (V/μS) আইপি (কেএ) Irms(A)50℃@10KHz ESR (mΩ) @1KHz Rth (K/W) ওজন (কেজি)
২×১০০০ ৫৬০ ১৯০ ৩১০ 20 ২×২০ ২×৩৫০ 1 ০.২ 60
ভোল্টেজ Un 3200V.DC Us 4800V Ur 900V
Cn (μF) W (মিমি) টি (মিমি) H (মিমি) dv/dt (V/μS) আইপি (কেএ) Irms(A)50℃@10KHz ESR (mΩ) @1KHz Rth (K/W) ওজন (কেজি)
২×১২০০ ৩৪০ ১৭৫ ৯৫০ 15 ২×১৮ ২×২০০ ১.০ ০.৫ 95

  • পূর্ববর্তী:
  • পরবর্তী:

  • আমাদের কাছে আপনার বার্তা পাঠান:

    আপনার বার্তাটি এখানে লিখে আমাদের কাছে পাঠিয়ে দিন।

    আমাদের কাছে আপনার বার্তা পাঠান: