উচ্চ পালস লোড ক্ষমতা সম্পন্ন উচ্চ মানের স্নাবার

সংক্ষিপ্ত বিবরণ:

আইজিবিটি স্নাবার এসএমজে-পি

সিআরই স্নাবার ফিল্ম ক্যাপাসিটরগুলো ক্ষণস্থায়ী ভোল্টেজ থেকে সুরক্ষার জন্য প্রয়োজনীয় উচ্চ পিক কারেন্টে পরিচালনার উদ্দেশ্যে ডিজাইন করা হয়েছে।

১. উচ্চ ডিভি/ডিটি সহ্য করার ক্ষমতা

২. আইজিবিটি-র জন্য সহজ ইনস্টলেশন

আমাদেরকে ইমেল পাঠান পিডিএফ হিসাবে ডাউনলোড করুন

পণ্যের বিবরণ

পণ্যের ট্যাগ

প্রযুক্তিগত তথ্য

কার্যকরী তাপমাত্রার পরিসর	সর্বোচ্চ কার্যকরী তাপমাত্রা: +১০৫℃ উচ্চ শ্রেণীর তাপমাত্রা: +৮৫℃ নিম্ন শ্রেণীর তাপমাত্রা: -৪০℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসর	০.১μF～৫.৬μF
রেট করা ভোল্টেজ	৭০০ ভোল্ট ডিসি～৩০০০ ভোল্ট ডিসি
ক্যাপ.টল	±৫%(J);±১০%(K)
সহনশীল ভোল্টেজ	১.৫ইউএন ডিসি/১০এস
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
নিরোধক প্রতিরোধ	C≤০.৩৩μF RS≥১৫০০০ MΩ (২০℃ তাপমাত্রায় ১০০V.DC ৬০S) C＞০.৩৩μF RS*C≥৫০০০S (২০℃ তাপমাত্রায় ১০০V.DC ৬০S)
স্ট্রাইক কারেন্ট প্রতিরোধ করুন	ডেটাশিট দেখুন
শিখা মন্দন	UL94V-0
আয়ুষ্কাল	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড	IEC61071;GB/T17702;

স্পেসিফিকেশন টেবিল

ভোল্টেজ	ইউএন ৭০০ভি.ডিসি, ইউআরএমএস ৪০০ভিএসি; ইউএস ১০৫০ভি
	মাত্রা (মিমি)
Cn(μF)	এল(±১)	টি(±১)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস @৪০℃ @১০০কেএইচজেড (এ)
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	12	25	৫০০	২৩৫	8
০.৬৮	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	10	25	৪৮০	৩২৬.৪	10
1	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	8	24	৪৫০	৪৫০	12
১.৫	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	7	25	৪৩০	৬৪৫	5
2	৪২.৫	33	৩৫.৫	6	24	৪২০	৮৪০	15
২.৫	৪২.৫	33	45	6	23	৪০০	১০০০	18
3	৪২.৫	33	45	৫.৫	22	৩৮০	১১৪০	20
3	৫৭.৫	30	45	5	26	৩৫০	১০৫০	22
৩.৫	৪২.৫	33	45	5	23	৩৫০	১২২৫	25
৩.৫	৫৭.৫	30	45	6	25	৩০০	১০৫০	22
৪.৭	৫৭.৫	35	50	5	28	২৮০	১৩১৬	25
৫.৬	৫৭.৫	38	54	4	30	২৫০	১৪০০	25
6	৫৭.৫	38	54	৩.৫	33	২৩০	১৩৮০	28
৬.৮	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.২	32	২২০	১৪৯৬	32
8	৫৭.৫	৪২.৫	56	২.৮	30	২০০	১৬০০	33
ভোল্টেজ	Un 1000V.DC, Urms 500Vac; Us 1500V
	মাত্রা (মিমি)
Cn(μF)	এল(±১)	টি(±১)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	ইর্মস
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	11	25	১০০০	৪৭০	10
০.৬৮	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	8	25	৮০০	৫৪৪	12
1	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	6	24	৮০০	৮০০	15
১.৫	৪২.৫	33	45	6	24	৭০০	১০৫০	15
2	৪২.৫	33	45	5	22	৭০০	১৪০০	20
২.৫	৫৭.৫	30	45	5	30	৬০০	১৫০০	22
3	৫৭.৫	35	50	4	30	৬০০	১৮০০	25
৩.৩	৫৭.৫	35	50	৩.৫	28	৫৫০	১৮১৫	25
৩.৫	৫৭.৫	38	54	৩.৫	28	৫০০	১৭৫০	25
4	৫৭.৫	38	54	৩.২	26	৫০০	২০০০	28
৪.৭	৫৭.৫	৪২.৫	56	3	25	৪২০	১৯৭৪ সালে	30
৫.৬	৫৭.৫	৪২.৫	56	২.৮	24	৪০০	২২৪০	32
ভোল্টেজ	ইউএন ১২০০ভি.ডিসি, ইউআরএমএস ৫৫০ভিএসি; ইউএস ১৮০০ভি
Cn(μF)	এল(±১)	টি(±১)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	ইর্মস
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	11	24	১২০০	৫৬৪	10
০.৬৮	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	7	23	১১০০	৭৪৮	12
1	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	6	22	৮০০	৮০০	14
১.৫	৪২.৫	33	45	5	20	৮০০	১২০০	15
2	৫৭.৫	30	45	4	30	৭৫০	১৫০০	20
২.৫	৫৭.৫	35	50	4	28	৭০০	১৭৫০	25
3	৫৭.৫	35	50	4	27	৬০০	১৮০০	25
৩.৩	৫৭.৫	38	54	4	27	৫৫০	১৮১৫	28
৩.৫	৫৭.৫	38	54	৩.৫	25	৫০০	১৭৫০	28
4	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.৫	25	৪৫০	১৮০০	30
৪.৭	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.২	23	৪২০	১৯৭৪ সালে	32
ভোল্টেজ	ইউএন ১৭০০ভি.ডিসি, ইউআরএমএস ৫৭৫ভিএসি; ইউএস ২২৫০ভি
Cn(μF)	এল(±১)	টি(±১)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	ইর্মস
০.৩৩	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	12	25	১৩০০	৪২৯	9
০.৪৭	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	10	24	১৩০০	৬১১	10
০.৬৮	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	8	23	১৩০০	৮৮৪	12
1	৪২.৫	33	45	7	22	১২০০	১২০০	15
১.৫	৪২.৫	33	45	6	22	১২০০	১৮০০	18
১.৫	৫৭.৫	30	45	5	31	১২০০	১৮০০	20
2	৫৭.৫	30	45	5	30	১১০০	২২০০	22
২.৫	৫৭.৫	35	50	4	28	১১০০	২৭৫০	25
3	৫৭.৫	38	54	4	27	৭০০	২১০০	25
৩.৩	৫৭.৫	38	54	৩.৮	26	৬০০	১৯৮০	28
৩.৫	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.৫	25	৫০০	১৭৫০	30
4	৫৭.৫	৪২.৫	56	৩.২	25	৪৫০	১৮০০	32
ভোল্টেজ	ইউএন ২০০০ভি.ডিসি, ইউআরএমএস ৭০০ভিএসি; ইউএস ৩০০০ভি
Cn(μF)	এল(±১)	টি(±১)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	ইর্মস
০.২২	৪২.৫	২৪.৫	২৭.৫	15	25	১৫০০	৩৩০	10
০.৩৩	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	12	24	১৫০০	৪৯৫	12
০.৪৭	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	11	23	১৪০০	৬৫৮	15
০.৬৮	৪২.৫	33	45	8	22	১২০০	৮১৬	18
০.৬৮	৫৭.৫	30	45	7	30	১১০০	৭৪৮	20
০.৮২	৪২.৫	33	45	7	28	১২০০	৯৮৪	22
1	৫৭.৫	30	45	6	28	১১০০	১১০০	25
১.৫	৫৭.৫	35	50	5	25	১০০০	১৫০০	28
2	৫৭.৫	38	54	5	24	৮০০	১৬০০	28
২.২	৫৭.৫	৪২.৫	56	4	23	৭০০	১৫৪০	32
ভোল্টেজ	ইউএন ৩০০০ভি.ডিসি, ইউআরএমএস ৭৫০ভিএসি; ইউএস ৪৫০০ভি
Cn(μF)	এল(±১)	টি(±১)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	ইর্মস
০.১৫	৪২.৫	33	45	18	28	২৫০০	৩৭৫	25
০.২২	৪২.৫	33	45	15	27	২২০০	৪৮৪	28
০.২২	৫৭.৫	35	50	15	25	২০০০	৩৩০	20
০.৩৩	৫৭.৫	35	50	12	24	১৮০০	৪৯৫	20
০.৪৭	৫৭.৫	38	54	11	23	১৬০০	৭৫২	22
০.৬৮	৫৭.৫	৪২.৫	56	8	22	১৫০০	১০২০	28