শক্তি সঞ্চয়ের জন্য পাওয়ার ইলেকট্রনিক ক্যাপাসিটর

সংক্ষিপ্ত বিবরণ:

ধাতব ফিল্ম পাওয়ার ইলেকট্রনিক ক্যাপাসিটর ডিএমজে-এমসি সিরিজ

১. উচ্চ প্রযুক্তির মাধ্যমে উদ্ভাবন – সর্বোত্তম কর্মক্ষমতা প্রযুক্তি অর্জনের জন্য সিআরই প্রসেস প্রযুক্তি ব্যবহার করে অনন্য পণ্য সমাধান।

২. বিশ্বস্ত অংশীদার- বিশ্বের শীর্ষস্থানীয় পাওয়ার সিস্টেম সরবরাহকারীদের ক্যাপাসিটর সরবরাহকারী এবং বৈশ্বিক পাওয়ার ইলেকট্রনিক সিস্টেমে ব্যবহৃত।

৩. প্রতিষ্ঠিত পণ্য সম্ভার, যা বিভিন্ন প্রয়োগের জন্য বাণিজ্যিক রিয়েল এস্টেট (CRE) পণ্যের নির্ভরযোগ্যতার প্রমাণিত ইতিহাসসহ একটি বিস্তৃত পোর্টফোলিও।

আমাদেরকে ইমেল পাঠান পিডিএফ হিসাবে ডাউনলোড করুন

পণ্যের বিবরণ

পণ্যের ট্যাগ

প্রযুক্তিগত তথ্য

কার্যকরী তাপমাত্রার পরিসর	সর্বোচ্চ কার্যকরী তাপমাত্রা: +৮৫℃ উচ্চ শ্রেণীর তাপমাত্রা: +৭০℃ নিম্ন শ্রেণীর তাপমাত্রা: -৪০℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসর	৫০μF～৪০০০μF
রেটেড ভোল্টেজ	৪৫০V.DC～৪০০০V.DC
ক্যাপ.টল	±৫%(J) ;±১০%(K)
সহনশীল ভোল্টেজ	ভিটি-টি	১.৫ইউএন ডিসি/৬০এস
	ভিটি-সি	১০০০+২×ইউএন/√২ (ভি.এসি) ৬০ সেকেন্ড (সর্বনিম্ন ৩০০০ ভি.এসি)
ওভার ভোল্টেজ	১.১ ইউনিট (অন-লোড সময়কালের ৩০%)
	১.১৫ মিনিট (প্রতিদিন ৩০ মিনিট)
	১.২ আন (প্রতিদিন ৫ মিনিট)
	১.৩ আন (১ মিনিট/দিন)
	১.৫ আন (প্রতিবার ১০০ মিলিসেকেন্ড, জীবনকালে ১০০০ বার)
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.003 f=100Hz
	tgδ0≤0.0002
নিরোধক প্রতিরোধ	Rs*C≥10000S (২০℃ তাপমাত্রায় ১০০V.DC, ৬০ সেকেন্ড)
শিখা মন্দন	UL94V-0
সর্বোচ্চ উচ্চতা	৩৫০০ মিটার
	যখন উচ্চতা ৩৫০০ মিটারের উপরে থেকে ৫৫০০ মিটারের মধ্যে থাকে, তখন ব্যবহারের পরিমাণ কমানোর বিষয়টি বিবেচনা করা প্রয়োজন। (প্রতি ১০০০ মিটার উচ্চতা বৃদ্ধির জন্য ভোল্টেজ এবং কারেন্ট ১০% করে কমানো হবে)।
আয়ুষ্কাল	100000h(Un; Θhotspot≤70 °C)
রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড	IEC61071 ;GB/T17702;

বৈশিষ্ট্য

১. অ্যালুমিনিয়ামের গোলাকার খোলস দ্বারা আবদ্ধকরণ, শুষ্ক রেজিন প্রবেশ করানো;

২. পুরুষ ও মহিলা লিড, সহজে স্থাপনযোগ্য;

৩. অধিক ধারণক্ষমতা, ছোট আকার;

৪. উচ্চ ভোল্টেজ প্রতিরোধ ক্ষমতা, সাথে স্ব-আরোগ্যের সুবিধা;

৫. উচ্চ রিপল কারেন্ট, উচ্চ ডিভি/ডিটি সহ্য করার ক্ষমতা।

অন্যান্য CRE পণ্যের মতো, এই সিরিজের ক্যাপাসিটরটিও UL সার্টিফিকেটপ্রাপ্ত এবং ১০০% বার্ন-ইন পরীক্ষিত।

আবেদন

১. পিভি ইনভার্টার;
২. বায়ু শক্তি রূপান্তরকারী;
৩. সকল প্রকার ফ্রিকোয়েন্সি কনভার্টার ও ইনভার্টার;
৪. বৈদ্যুতিক গাড়ি ও চার্জিং পাইল;
৫. পিএফসি, ইউপিএস, এসভিজি, এসভিসি ডিভাইসসমূহ;
৬. অন্যান্য ধরনের বিদ্যুৎ গুণমান ব্যবস্থাপনা।

আয়ুষ্কাল

রূপরেখা অঙ্কন

ΦD(মিমি)	পি(মিমি)	H1(মিমি)	S	F	M
76	32	20	এম১২×১৬	এম৬×১০	এম৮×২০
86	32	20	এম১২×১৬	এম৬×১০	এম৮×২০
96	45	20	এম১২×১৬	এম৬×১০	এম৮×২০
১১৬	50	22	এম১২×১৬	এম৬×১০	এম৮×২০
১৩৬	50	30	এম১৬×২৫	এম৬×১০	এম৮×২০

ভোল্টেজ	৪৫০ ভোল্ট ডিসি
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপি(কেএ)	Is(KA)	আইআরএমএস(এ)৫০℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন (কেজি)
৩৮০	76	75	50	10	৩.৮	১১.৪	45	২.২	৪.৫	32	০.৫
৫০০	76	১০০	40	8	৪.০	১২.০	65	১.৫	৩.২	32	০.৬
৭৫০	76	১৩০	50	5	৩.৮	১১.৩	65	১.৬	৩.০	32	০.৭৫
৫০০	86	75	50	8	৪.০	১২.০	55	১.৮	৩.৭	32	০.৮
১০০০	86	১৩০	50	5	৫.০	১৫.০	70	১.৫	২.৭	32	১.১
৬৫০	86	১০০	40	5	৩.৩	৯.৮	75	১.২	৩.০	32	০.৯
৬৫০	86	95	40	5	৩.৩	৯.৮	75	১.২	৩.০	32	০.৮৫
৬৫০	96	75	50	5	৩.৩	৯.৮	60	১.৫	৩.৭	45	০.৭৫
১২৫০	96	১৩০	50	4	৫.০	১৫.০	80	১	৩.১	45	১.২
১৮০০	১১৬	১৩০	50	4	৭.২	২১.৬	85	০.৮	৩.৫	50	১.৬
১৪৫০	86	১৯০	60	4	৫.৮	১৭.৪	90	০.৯	২.৭	32	১.৫৫
২৭০০	১১৬	১৯০	60	3	৮.১	২৪.৩	১০০	০.৮	২.৫	50	২.৪৫

ভোল্টেজ	৬০০ ভোল্ট ডিসি
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপি(কেএ)	Is(KA)	আইআরএমএস(এ)৫০℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন (কেজি)
২৫০	76	75	40	15	৩.৮	১১.৩	40	৩.১	৪.০	32	০.৫
৩২০	76	১০০	40	10	৩.২	৯.৬	40	২.২	৫.৭	32	০.৬
৪৭০	76	১৩০	45	12	৫.৬	১৬.৯	60	১.৮	৩.১	32	০.৭৫
৩৩০	86	75	40	15	৫.০	১৪.৯	45	২.৪	৪.১	32	০.৮
৬০০	86	১২০	45	12	৭.২	২১.৬	60	১.৩	৪.৩	32	১.০৫
৬৫০	86	১৩০	50	12	৭.৮	২৩.৪	70	১.২	৩.৪	32	১.১
৬৫০	86	95	50	15	৯.৮	২৯.৩	65	১.২	৩.৯	32	০.৮৫
১০০০	86	১৮০	50	12	১২.০	৩৬.০	70	১.৫	২.৭	32	১.৫
৪২০	96	75	45	15	৬.৩	১৮.৯	50	২	৪.০	45	০.৭৫
৮০০	96	১৩০	60	12	৯.৬	২৮.৮	75	১.৫	২.৪	45	১.২
৯৫০	১১৬	১০০	60	10	৯.৫	২৮.৫	90	১.২	২.১	50	১.২৫
১২০০	১১৬	১৩০	70	8	৯.৬	২৮.৮	80	১.২	২.৬	50	১.৬
১৮০০	১১৬	১৮০	50	8	১৪.৪	৪৩.২	80	১.২	২.৬	50	২.৪
২৭০০	১১৬	২৬০	70	5	১৩.৫	৪০.৫	১০০	০.৯	২.২	50	৩.২
২৫০০	১৩৬	১৮০	60	5	১২.৫	৩৭.৫	১০০	০.৮	২.৫	50	৩.৭
৩৭৫০	১৩৬	২৬০	70	4	১৫.০	৪৫.০	১১৫	০.৭	২.২	50	৪.৭

ভোল্টেজ	৭০০ ভোল্ট ডিসি
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপি(কেএ)	Is(KA)	আইআরএমএস(এ)৫০℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
২০০	76	75	40	15	৩.০	৯.০	40	4	৩.১	32	০.৫
৪০০	76	১৩০	45	15	৬.০	১৮.০	60	২	২.৮	32	০.৭৫
৪২০	76	১৩০	50	15	৬.৩	১৮.৯	60	২	২.৮	32	০.৭৫
৬০০	86	১২৫	60	15	৯.০	২৭.০	45	৩.২	৩.১	32	১.০৫
৫৫০	86	১৩০	50	12	৬.৬	১৯.৮	65	১.৮	২.৬	32	১.১
৬৮০	96	১৩০	45	12	৮.২	২৪.৫	75	১.৫	২.৪	45	১.২
৭২০	96	১২৫	60	12	৮.৬	২৫.৯	55	২.৬	২.৫	45	১.১৫
১০০০	১১৬	১৩০	50	10	১০.০	৩০.০	80	১	৩.১	50	১.৬
১০০০	96	১৮০	60	10	১০.০	৩০.০	75	১.২	৩.০	45	১.৬
১৫০০	১১৬	১৮০	60	7	১০.৫	৩১.৫	85	০.৯	৩.১	50	২.৪
২০০০	১১৬	২৩০	70	7	১৪.০	৪২.০	85	০.৮	৩.৫	50	3
২০০০	১৩৬	১৮০	60	7	১৪.০	৪২.০	90	০.৭৫	৩.৩	50	৩.৭
৩০০০	১৩৬	২৩০	70	5	১৫.০	৪৫.০	১০০	০.৭	২.৯	50	৪.২
৩৩০০	১৩৬	২৬০	70	5	১৬.৫	৪৯.৫	১২০	০.৬	২.৩	50	৪.৭

ভোল্টেজ	৮০০ ভোল্ট ডিসি
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপি(কেএ)	Is(KA)	আইআরএমএস(এ)৫০℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন (কেজি)
১১০	86	80	45	20	২.২	৬.৬	75	২	১.৮	32	০.৮
১৫০	86	95	45	20	৩.০	৯.০	80	১.৫	২.১	32	০.৮৫
২৫০	86	75	45	15	৩.৮	১১.৩	45	৩.১	৩.২	32	০.৮
৩৬০	86	১৩০	55	12	৪.৩	১৩.০	65	২.২	২.২	32	১.১
৪৭০	86	১৩০	45	12	৫.৬	১৬.৯	70	২.৮	১.৫	32	১.১
৬০০	96	১৩০	55	10	৬.০	১৮.০	75	২.২	১.৬	45	১.২
৭৩০	86	১৮০	55	10	৭.৩	২১.৯	70	১.৮	২.৩	32	১.৫
৭৫০	86	১৮০	55	12	৯.০	২৭.০	75	১.৮	২.০	32	১.৫
১০০০	96	১৮০	60	10	১০.০	৩০.০	75	১.৩	২.৭	45	১.৬
৯০০	১১৬	১৩০	65	7	৬.৩	১৮.৯	80	১.৪	২.২	50	১.৬
১৪০০	১১৬	১৮০	65	7	৯.৮	২৯.৪	80	০.৯	৩.৫	50	২.৪
১০০০	১১৬	১২৫	60	7	৭.০	২১.০	70	১.৪	২.৯	50	১.৫৫
২০০০	১১৬	২৩০	65	5	১০.০	৩০.০	85	০.৯	৩.১	50	3
২৮০০	১৩৬	২৩০	70	5	১৪.০	৪২.০	১০০	০.৮	২.৫	50	৪.২

ভোল্টেজ	৯০০ ভোল্ট ডিসি
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপি(কেএ)	Is(KA)	আইআরএমএস(এ)৫০℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন (কেজি)
১৬০	76	75	40	15	৩.০	৯.০	35	3	৫.৪	32	০.৫
৩২০	76	১৩০	50	15	৫.০	১৪.৯	60	৩.২	১.৭	32	০.৭৫
৩৫০	76	১২৫	50	15	৫.০	১৫.০	40	২.৮	৪.৫	32	০.৭৫
২১০	86	75	40	15	৩.২	৯.৫	40	২.২	৫.৭	32	০.৮
৪৫০	86	১২৫	45	12	৫.৪	১৬.২	50	২.৭	৩.০	32	১.১
৪২০	86	১৩০	45	12	৫.০	১৫.১	65	২.৫	১.৯	32	১.১
৪৯০	86	১২০	45	10	৪.৯	১৪.৭	70	১.৮	২.৩	32	১.০৫
৫১০	86	১২০	45	10	৫.১	১৫.৩	70	১.৮	২.৩	32	১.০৫
৬৬০	86	১৮০	50	10	৬.৬	১৯.৮	70	২	২.০	32	১.৫
৯০০	86	২৩০	50	10	৯.০	২৭.০	65	২.১	২.৩	32	১.৮
৫৮০	96	১২৫	50	10	৫.৮	১৭.৪	55	৩.৩	২.০	45	১.২
৫৪০	96	১৩০	50	7	৩.৮	১১.৩	75	১.৫	২.৪	45	১.২
৬৩০	১১৬	১০০	55	7	৪.৪	১৩.২	60	২	২.৮	50	১.৩
৮৬০	১১৬	১২৫	55	7	৬.০	১৮.১	60	২.২	২.৫	50	১.৫৫
৮১০	১১৬	১৩০	60	7	৫.৭	১৭.০	80	১.২	২.৬	50	১.৬
১২৫০	১১৬	১৮০	60	7	৮.৮	২৬.৩	80	১.২	২.৬	50	২.৪
১৭০০	১১৬	২৩০	60	5	৮.৫	২৫.৫	80	১.১	২.৮	50	3
১৭০০	১৩৬	১৮০	65	6	১০.২	৩০.৬	১০০	০.৯	২.২	50	৩.৭
২৪০০	১৩৬	২৩০	70	5	১২.০	৩৬.০	১০০	০.৯৫	২.১	50	৪.২

ভোল্টেজ	১১০০ ভোল্ট ডিসি
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপি(কেএ)	Is(KA)	আইআরএমএস(এ)৫০℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
১৩০	76	75	40	15	১.৯	৫.৬	35	৪.৫	৩.৬	32	০.৫
২৬০	76	১৩০	45	15	৩.৮	১১.৩	60	২.৮	২.০	32	০.৭৫
২৮০	76	১২৫	50	12	৩.৩	৯.৯	35	4	৪.১	32	০.৭৫
১৭০	86	75	50	15	২.৬	৭.৭	45	5	২.০	32	০.৮
৩৬০	86	১২৫	55	12	৪.৩	১৩.০	35	২.৫	৬.৫	32	১.১
৩৩০	86	১৩০	45	15	৫.০	১৫.০	65	২.৮	১.৭	32	১.১
৪২০	86	১৩৬	45	12	৫.০	১৫.০	60	২	২.৮	32	১.১৫
৪২০	86	১৫৫	45	12	৫.০	১৫.০	65	১.৫	৩.২	32	১.২৫
৪৭০	86	১৮০	60	10	৪.৭	১৪.১	70	১.৮	২.৩	32	১.৫
৫০০	86	১৮০	60	10	৫.০	১৫.০	70	১.৮	২.৩	32	১.৫
৬০০	86	২২৫	60	10	৬.০	১৮.০	80	১.২	২.৬	32	১.৮
৬০০	86	২২৫	70	10	৬.০	১৮.০	60	২.২	২.৫	32	১.৮
৬০০	১১৬	১৩০	50	10	৬.০	১৮.০	75	১.৮	২.০	50	১.৬
৬৮০	86	২২৫	70	12	৮.২	২৪.৫	65	২.৫	১.৯	32	১.৮
৭২০	86	২৩০	70	12	৮.৬	২৫.৯	65	২.৫	১.৯	32	১.৮
৪৬০	96	১২৫	65	10	৪.৬	১৩.৮	55	৩.২	২.১	45	১.২
৫২০	96	১৮০	65	12	৬.২	১৮.৭	75	১.৫	২.৪	45	১.৬
৫০০	১১৬	১০০	70	10	৫.০	১৫.০	55	২.৫	২.৬	50	১.৩
৬৮০	১১৬	১২৫	70	10	৬.৮	২০.৪	60	২.৮	২.০	50	১.৬
৬৫০	১১৬	১৩০	75	10	৬.৫	১৯.৫	75	১.৩	২.৭	50	১.৬
১০০০	১১৬	১৮০	75	12	১২.০	৩৬.০	75	১.৫	২.৪	50	২.৪
১২০০	১১৬	২৩০	80	8	৯.৬	২৮.৮	80	১.৫	২.১	50	3
১২০০	১১৬	২৩০	75	12	১৪.৪	৪৩.২	১০৫	০.৯	২.০	50	3
১২৫০	১১৬	২৩০	75	12	১৫.০	৪৫.০	80	১.৫	২.১	50	3
১৩০০	১১৬	২৩০	75	12	১৫.৬	৪৬.৮	80	১.৫	২.১	50	3
১৪০০	১৩৬	১৮০	70	7	৯.৮	২৯.৪	85	১.৩	২.১	50	৩.৭
১৭০০	১৩৬	২৩০	70	5	৮.৫	২৫.৫	১০০	১.৪	১.৪	50	৪.২
১৯০০	১৩৬	২৩০	75	5	৯.৫	২৮.৫	১০০	১.২	১.৭	50	৪.২
২৮০০	১৩৬	৩৩৫	80	5	১৪.০	৪২.০	১২০	০.৮	১.৭	50	৬.১
৩০৬০	১৩৬	৩৪৫	80	5	১৫.৩	৪৫.৯	১২০	০.৯	১.৫	50	৬.২
৩২০০	১৩৬	৩৩৫	80	5	১৬.০	৪৮.০	১২০	০.৮৫	১.৬	50	৬.১

ভোল্টেজ	১২০০ ভোল্ট ডিসি
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপি(কেএ)	Is(KA)	আইআরএমএস(এ)৫০℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন (কেজি)
১৭০	86	75	50	15	২.৬	৭.৭	45	৪.৫	২.২	32	০.৮
৪২০	76	১৪৫	50	15	৬.৩	১৮.৯	30	12	১.৯	32	০.৮৫
৩৩০	86	১৩০	45	15	৫.০	১৫.০	65	২.৮	১.৭	32	১.১
৪২০	86	১৩৬	45	12	৫.০	১৫.০	65	২	২.৪	32	১.১৫
৪২০	86	১৫৫	45	12	৫.০	১৫.০	70	১.৫	২.৭	32	১.২৫
৪২০	১১৬	95	55	10	৪.২	১২.৬	80	১.৪	২.২	50	১.২
৪৫০	86	১৬০	55	12	৫.৪	১৬.২	70	২.৯	১.৪	32	১.৩
৪৭০	86	১৮০	60	12	৫.৬	১৬.৯	70	২.৮	১.৫	32	১.৫
৪৭০	86	২২৫	60	12	৫.৬	১৬.৯	70	২.৮	১.৫	32	১.৮
৫৫০	86	১৪৫	55	12	৬.৬	১৯.৮	40	11	১.১	32	১,২
৬০০	86	২২৫	60	10	৬.০	১৮.০	80	১.২	২.৬	32	১.৮
৬০০	86	২২৫	70	10	৬.০	১৮.০	60	২.২	২.৫	32	১.৮
৬০০	১১৬	১৩০	50	10	৬.০	১৮.০	75	১.৮	২.০	50	১.৬
৬৮০	86	২২৫	70	12	৮.২	২৪.৫	65	২.৫	১.৯	32	১.৮
৫০০	১১৬	১০০	65	10	৫.০	১৫.০	55	২.৬	২.৫	50	১.২
৬৮০	১১৬	১২৫	65	10	৬.৮	২০.৪	50	২.৮	২.৯	50	১.৫৫
৬৫০	১১৬	১৩০	65	10	৬.৫	১৯.৫	80	১.৮	১.৭	50	১.৬
১০০০	১১৬	১৮০	70	7	৭.০	২১.০	75	১.৩	২.৭	50	২.৪
১২০০	১১৬	২৩০	70	7	৮.৪	২৫.২	75	১.৩	২.৭	50	3
১২৫০	১১৬	২৩০	70	7	৮.৮	২৬.৩	75	১.২	৩.০	50	3
১৪০০	১৩৬	১৮০	75	7	৯.৮	২৯.৪	85	১.১	২.৫	50	৩.৭
১৭০০	১৩৬	২৩০	80	5	৮.৫	২৫.৫	85	১	২.৮	50	৪.২
৮৫০	১৩৬	১২৫	70	8	৬.৮	২০.৪	75	১.৬	২.২	50	১.৯
৯৫০	১৩৬	১২৫	60	8	৭.৬	২২.৮	80	১.১	২.৮	50	২.৪
১২০০	১১৬	১৮০	80	8	৯.৬	২৮.৮	80	১	৩.১	50	২.৪
১২০০	১১৬	১৮০	60	5	৬.০	১৮.০	১০০	০.৮	২.৫	50	২.৪
১৫০০	১৩৬	১৮০	70	5	৭.৫	২২.৫	১০০	০.৯	২.২	50	৩.৭
২৭০০	১৩৬	৩৩৫	80	5	১৩.৫	৪০.৫	১১০	০.৮৫	১.৯	50	৬.১

ভোল্টেজ	১৩০০ ভোল্ট ডিসি
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপি(কেএ)	Is(KA)	আইআরএমএস(এ)৫০℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
২৩০	86	১২৫	50	15	৫.৭	১৭.১	35	5	৩.৩	32	১.১
২১০	86	১৩০	50	15	৩.২	৯.৫	70	২	২.০	32	১.১
৩৩০	86	১৮০	60	15	৫.০	১৪.৯	65	3	১.৬	32	১.৫
৪৭০	86	২৩০	65	12	৫.৬	১৬.৯	65	৩.২	১.৫	32	১.৮
৪১০	১১৬	১৩০	65	12	৪.৯	১৪.৮	80	১.৮	১.৭	50	১.৬
৬৫০	১১৬	১৮০	65	10	৬.৫	১৯.৫	85	২	১.৪	50	২.৪
৮৮০	১১৬	২৩০	80	10	৮.৮	২৬.৪	85	২.২	১.৩	50	3
৯০০	১৩৬	১৮০	70	7	৬.৩	১৮.৯	১০০	১.৬	১.৩	50	৩.৭
১২০০	১৩৬	২৩০	80	7	৮.৪	২৫.২	১০৫	১.৫	১.২	50	৪.২

ভোল্টেজ	১৫০০ ভোল্ট ডিসি
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপি(কেএ)	Is(KA)	আইআরএমএস(এ)৫০℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
১৬০	86	১২৫	50	15	৫.৭	১৭.১	35	5	৩.৩	32	১.১
১৬০	86	১৩০	50	15	২.৪	৭.২	60	৩.৫	১.৬	32	১.১
২৪০	86	১৮০	55	15	৩.৬	১০.৮	65	5	০.৯	32	১.৫
৩২০	86	২৩০	55	12	৩.৮	১১.৫	60	৩.৫	১.৬	32	১.৮
৩০০	১১৬	১৩০	55	12	৩.৬	১০.৮	75	২	১.৮	50	১.৬
৪৭০	১১৬	১৮০	60	10	৪.৭	১৪.১	75	২.৮	১.৩	50	২.৪
৬৫০	১১৬	২৩০	60	10	৬.৫	১৯.৫	80	২.৮	১.১	50	3
৬৬০	১৩৬	১৮০	60	7	৪.৬	১৩.৯	১০০	১.৮	১.১	50	৩.৭
৯০০	১৩৬	২৩০	60	6	৫.৪	১৬.২	১০৫	১.২	১.৫	50	৪.২
১০০০	১৩৬	২৬০	70	5	৫.০	১৫.০	১২০	০.৯	১.৫	50	৪.৭

ভোল্টেজ	১৮০০ ভোল্ট ডিসি
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপি(কেএ)	Is(KA)	আইআরএমএস(এ)৫০℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
১৩০	86	১২৫	55	15	৫.৭	১৭.১	35	5	৩.৩	32	১.১
১২০	86	১৩০	55	15	১.৮	৫.৪	60	২.৫	২.২	32	১.১
১৮০	86	১৮০	60	15	২.৭	৮.১	65	২	২.৪	32	১.৫
২৬০	86	২৩০	60	12	৩.১	৯.৪	60	3	১.৯	32	১.৮
২৩০	১১৬	১৩০	60	12	২.৮	৮.৩	80	২	১.৬	50	১.৬
৩৬০	১১৬	১৮০	65	10	৩.৬	১০.৮	80	৩.২	১.০	50	২.৪
৫০০	১১৬	২৩০	70	10	৫.০	১৫.০	75	3	১.২	50	3
৫১০	১৩৬	১৮০	70	7	৩.৬	১০.৭	১০০	২	১.০	50	৩.৭
৬৮০	১৩৬	২৩০	70	7	৪.৮	১৪.৩	95	২	১.১	50	৪.২

ভোল্টেজ	২০০০ ভোল্ট ডিসি
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপি(কেএ)	Is(KA)	আইআরএমএস(এ)৫০℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
১০০	86	১২৫	55	15	১.৫	৪.৫	35	৩.৮	৪.৩	32	১.১
90	86	১৩০	55	15	১.৪	৪.১	65	২.৫	১.৯	32	১.১
১৫০	86	১৮০	60	15	২.৩	৬.৮	60	৩.৫	১.৬	32	১.৫
২০০	86	২৩০	60	12	২.৪	৭.২	65	২	২.৪	32	১.৮
১৮০	১১৬	১৩০	65	10	১.৮	৫.৪	75	২.৫	১.৪	50	১.৬
২৮০	১১৬	১৮০	70	10	২.৮	৮.৪	70	২	২.০	50	২.৪
৩৮০	১১৬	২৩০	80	10	৩.৮	১১.৪	80	২	১.৬	50	3
৪০০	১৩৬	১৮০	60	7	২.৮	৮.৪	১০০	১.৬	১.৩	50	৩.৭
৫৫০	১৩৬	২৩০	70	7	৩.৯	১১.৬	১০০	১.৫	১.৩	50	৪.২
৮৫০	১৩৬	৩৩৫	80	5	৪.৩	১২.৮	১২০	১.১	১.৩	50	৬.১

ভোল্টেজ	২৮০০ ভোল্ট ডিসি
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপি(কেএ)	Is(KA)	আইআরএমএস(এ)৫০℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
১৬০	১১৬	১৮০	70	30	৪.৮	১৪.৪	75	২.২	১.৬	50	২.৪
২১০	১১৬	২৩০	75	25	৫.৩	১৫.৮	70	২.৮	১.৫	50	3
২২৫	১৩৬	১৮০	75	20	৪.৫	১৩.৫	85	২	১.৪	50	৩.৭
৩০০	১৩৬	২৩০	80	15	৪.৫	১৩.৫	80	২.৫	১.৩	50	৪.২

ভোল্টেজ	৪০০০ ভোল্ট ডিসি
Cn(uF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	আইপি(কেএ)	Is(KA)	আইআরএমএস(এ)৫০℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	পি(মিমি)	ওজন
70	১১৬	১৮০	70	50	৩.৫	১০.৫	70	৩.৫	১.২	50	২.৪
95	১১৬	২৩০	75	40	৩.৮	১১.৪	70	৩.৬	১.১	50	3
১০০	১৩৬	১৮০	75	35	৩.৫	১০.৫	85	3	০.৯	50	৩.৭
১৩৫	১৩৬	২৩০	80	30	৪.১	১২.২	80	৩.৫	০.৯	50	৪.২