উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের জন্য কাস্টমাইজড ড্রাই ফিল্ম ক্যাপাসিটর ডিজাইন

সংক্ষিপ্ত বিবরণ:

ক্যাপাসিটর মডেল: DKMJ-S সিরিজ

১. ক্যাপাসিট্যান্সের পরিসর: ১০০uf~২০০০০uf

২. রেটেড ভোল্টেজ: ৬০০ভি.ডিসি~৪০০০ভি.ডিসি

৩. সর্বোচ্চ উচ্চতা: ২০০০ মিটার

৪. গড় আয়ু: ১০০০০০ ঘণ্টা

৫. কার্যকরী তাপমাত্রার পরিসর: সর্বোচ্চ: +৭০℃

উচ্চ শ্রেণীর তাপমাত্রাঃ +৬০℃

নিম্ন শ্রেণীর তাপমাত্রাঃ -৪০℃

আমাদেরকে ইমেল পাঠান পিডিএফ হিসাবে ডাউনলোড করুন

পণ্যের বিবরণ

পণ্যের ট্যাগ

আমাদের শক্তি

১. সিআরই (CRE) আকার, ওজন ও খরচ কমানোর পাশাপাশি শক্তির ঘনত্ব, নির্ভরযোগ্যতা ও কার্যকারিতা বাড়ানোর জন্য ক্রমাগত উন্নয়ন করে চলেছে।

২. একজন পেশাদার ফিল্ম ক্যাপাসিটর ডিজাইনার হিসেবে, আমরা একটি নির্দিষ্ট অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ক্যাপাসিটরের কর্মক্ষমতার বৈশিষ্ট্যগুলোকে সর্বোত্তম করতে ফিল্ম/সেগমেন্টেড ফিল্ম উপকরণ এবং কৌশল প্রয়োগ করি।

৩. বহু বছরের অভিজ্ঞতার আলোকে, সিআরই বিশ্বজুড়ে আমাদের গ্রাহকদের জন্য উদ্ভাবনী ক্যাপাসিটর সমাধান তৈরি করে চলেছে।

প্রযুক্তিগত তথ্য

কার্যকরী তাপমাত্রার পরিসর	সর্বোচ্চ কার্যকরী তাপমাত্রা: +৭০℃ উচ্চ শ্রেণীর তাপমাত্রা: +৬০℃ নিম্ন শ্রেণীর তাপমাত্রা: -৪০℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসর	১০০μF～২০০০০μF
রেটেড ভোল্টেজ	৬০০ ভোল্ট ডিসি～৪০০০ ভোল্ট ডিসি
ক্যাপাসিট্যান্স সহনশীলতা	±৫%(J);±১০%(K)
সহনশীল ভোল্টেজ	ভিটি-টি	১.৫ইউএন ডিসি/৬০এস
	ভিটি-সি	১০০০+২×Un/√২(ভি.এসি)৬০ সেকেন্ড (সর্বনিম্ন ৩০০০ ভোল্ট এসি)
ওভার ভোল্টেজ	১.১ ইউনিট (অন-লোড চলাকালীন ৩০%)
	১.১৫ মিনিট (প্রতিদিন ৩০ মিনিট)
	১.২ আন (প্রতিদিন ৫ মিনিট)
	১.৩ আন (১ মিনিট/দিন)
	১.৫ আন (প্রতিবার ১০০ মিলিসেকেন্ড, জীবনকালে ১০০০ বার)
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.003 f=100Hz
	tgδ0≤0.0002
ইএসএল	＜১৫০ এনএইচ
শিখা মন্দন	UL94V-0
সর্বোচ্চ উচ্চতা	২০০০ মিটার
	যখন উচ্চতা ২০০০ মিটারের উপরে থেকে ৫০০০ মিটারের নিচে থাকে, তখন এর ব্যবহার কমিয়ে আনার বিষয়টি বিবেচনা করা প্রয়োজন। (প্রতি ১০০০ মিটার উচ্চতা বৃদ্ধির জন্য ভোল্টেজ এবং কারেন্ট ১০% করে কমানো হবে)।
আয়ুষ্কাল	100000h (Un; Θhotspot ≤70 °C)
রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড	আইইসি ৬১০৭১; আইইসি ৬১৮৮১;

বৈশিষ্ট্য

১. ধাতব আবরণে আবদ্ধকরণ, শুষ্ক রেজিন প্রবেশ করানো;

২. তামার নাট/স্ক্রু লিড, সহজে স্থাপনযোগ্য;

৩. বৃহৎ ধারণক্ষমতা, পছন্দসই মাপ;

৪. উচ্চ ভোল্টেজ প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং স্ব-আরোগ্যের সক্ষমতা;

৫. উচ্চ রিপল কারেন্ট, উচ্চ ডিভি/ডিটি সহ্য করার ক্ষমতা।

স্পেসিফিকেশন টেবিল

ভোল্টেজ	Un 800V.DC Us 1200V Ur 200V
Cn (μF)	W (মিমি)	টি (মিমি)	H (মিমি)	dv/dt (V/μS)	আইপি (কেএ)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	ওজন (কেজি)
৪০০০	৩৪০	১২৫	১৯০	5	২০.০	১২০	১.১	০.৯	১৭.৬
৮০০০	৩৪০	১২৫	৩৫০	4	৩২.০	১৮০	০.৭২	০.৬	৩১.২
৬০০০	৪২০	১২৫	২৪৫	5	৩০.০	১৫০	০.৯৫	০.৭	২৬.৪
১০০০০	৪২০	১২৫	৩৬০	4	৪০.০	২০০	০.৭২	০.৫	৩৯.২
১২০০০	৪২০	২৩৫	২৪৫	4	৪৮.০	২৫০	০.৯	০.৩	৪৯.৬
২০০০০	৪২০	২৩৫	৩৬০	3	৬০.০	৩০০	০.৬	০.৩	৭৩.৬
ভোল্টেজ	Un 1200V.DC Us 1800V Ur 300V
Cn (μF)	W (মিমি)	টি (মিমি)	H (মিমি)	dv/dt (V/μS)	আইপি (কেএ)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	ওজন (কেজি)
২৫০০	৩৪০	১২৫	১৯০	8	২০.০	১২০	১.১	০.৯	১৭.৬
৩৩০০	৩৪০	১২৫	২৪৫	8	২৬.৪	১৫০	০.৯৫	০.৭	২২.৪
৫০০০	৪২০	১২৫	৩০০	7	৩৫.০	১৮০	০.৮	০.৬	৩২.৮
৭৫০০	৪২০	১২৫	৪৩০	৫.৫	৪১.৩	২০০	০.৬৬	০.৬	৪৪.৮
৫০০০	৩৪০	২৩৫	১৯০	8	৪০.০	২০০	১.১	০.৩	৩২.৮
১০০০০	৩৪০	২৩৫	৩৫০	6	৬০.০	২৫০	০.৮	০.৩	৫৮.৪
৫০০০	৪২০	২৩৫	১৭৫	8	৪০.০	২০০	1	০.৪	36
৭৫০০	৪২০	২৩৫	২৪৫	7	৫২.৫	২৫০	০.৯	০.৩	৪৯.৬
১০০০০	৪২০	২৩৫	৩০০	7	৭০.০	২৫০	০.৮	০.৩	৬১.৬
১৫০০০	৪২০	২৩৫	৪৩০	5	৭৫.০	৩০০	০.৬	০.৩	84
ভোল্টেজ	Un 1500V.DC Us 2250V Ur 450V
Cn (μF)	W (মিমি)	টি (মিমি)	H (মিমি)	dv/dt (V/μS)	আইপি (কেএ)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	ওজন (কেজি)
১২০০	৩৪০	১২৫	১৯০	10	১২.০	১২০	১.১	০.৯	১৭.৬
৩০০০	৩৪০	১২৫	৪২০	8	২৪.০	১৮০	০.৬৬	০.৭	৩৭.৬
২০০০	৪২০	১২৫	২৪৫	10	২০.০	১৫০	০.৯৫	০.৭	২৬.৪
৪০০০	৪২০	১২৫	৪৩০	8	৩২.০	২০০	০.৬৬	০.৬	৪৪.৮
৫০০০	৩৪০	২৩৫	৩৫০	8	৪০.০	২৫০	০.৮	০.৩	৫৮.৪
৪০০০	৪২০	২৩৫	২৪৫	10	৪০.০	২৫০	০.৯	০.৩	৪৯.৬
৮০০০	৪২০	২৩৫	৪৩০	8	৬৪.০	৩০০	০.৬	০.৩	84
ভোল্টেজ	Un 2000V.DC Us 3000V Ur 600V
Cn (μF)	W (মিমি)	টি (মিমি)	H (মিমি)	dv/dt (V/μS)	আইপি (কেএ)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	ওজন (কেজি)
১০০০	৩৪০	১২৫	২৪৫	12	১২.০	১৫০	০.৯৫	০.৭	২২.৪
১৫০০	৩৪০	১২৫	৩৫০	10	১৫.০	১৮০	০.৭২	০.৬	৩১.২
২০০০	৪২০	১২৫	৩৬০	10	২০.০	২০০	০.৭২	০.৫	৩৯.২
২৪০০	৪২০	১২৫	৪৩০	9	২১.৬	২০০	০.৬৬	০.৬	৪৪.৮
৩২০০	৩৪০	২৩৫	৩৫০	10	৩২.০	২৫০	০.৮	০.৩	৪৬.৪
৪০০০	৪২০	২৩৫	৩৬০	10	৪০.০	২৮০	০.৭	০.৩	৫৮.৪
৪৮০০	৪২০	২৩৫	৪৩০	9	৪৩.২	৩০০	০.৬	০.৩	৬৭.২
ভোল্টেজ	Un 2200V.DC Us 3300V Ur 600V
Cn (μF)	W (মিমি)	টি (মিমি)	H (মিমি)	dv/dt (V/μS)	আইপি (কেএ)	Irms (A)max	ESR (mΩ)	Rth (K/W)	ওজন (কেজি)
২০০০	৪২০	২৩৫	২৪৫	12	24	১৫০	০.৯	০.৭৪০৭৪০৭৪১	40
২৭৫০	৪২০	২৩৫	৩০০	10	২৭.৫	২০০	০.৮	০.৪৬৮৭৫	৪৯.৬
৩৫০০	৪২০	২৩৫	৩৬০	10	35	২০০	০.৭	০.৫৩৫৭১৪২৮৬	৫৮.৪
ভোল্টেজ	Un 3000V.DC Us 4500V Ur 800V
Cn (μF)	W (মিমি)	টি (মিমি)	H (মিমি)	dv/dt (V/μS)	আইপি (কেএ)	Irms (A)max	ESR (mΩ)	Rth (K/W)	ওজন (কেজি)
১০৫০	৪২০	২৩৫	২৪৫	20	21	১৫০	০.৯	০.৭৪০৭৪০৭৪১	40
১৪০০	৪২০	২৩৫	৩০০	15	21	২০০	০.৮	০.৪৬৮৭৫	৪৯.৬
১৮০০	৪২০	২৩৫	৩৬০	15	27	২০০	০.৭	০.৫৩৫৭১৪২৮৬	৫৮.৪
ভোল্টেজ	Un 4000V.DC Us 6000V Ur 1000V
Cn (μF)	W (মিমি)	টি (মিমি)	H (মিমি)	dv/dt (V/μS)	আইপি (কেএ)	Irms (A)max	ESR (mΩ)	Rth (K/W)	ওজন (কেজি)
৬০০	৪২০	২৩৫	২৪৫	20	12	১৫০	০.৯	০.৭৪০৭৪০৭৪১	40
৮০০	৪২০	২৩৫	৩০০	20	16	২০০	০.৮	০.৪৬৮৭৫	৪৯.৬
১০০০	৪২০	২৩৫	৩৬০	20	20	২০০	০.৭	০.৫৩৫৭১৪২৮৬	৫৮.৪
ভোল্টেজ	Un 2800V.DC Us 4200V Ur 800V
Cn (μF)	W (মিমি)	টি (মিমি)	H (মিমি)	dv/dt (V/μS)	আইপি (কেএ)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	ওজন (কেজি)
২×১০০০	৫৬০	১৯০	৩১০	20	২×২০	২×৩৫০	1	০.২	60
ভোল্টেজ	Un 3200V.DC Us 4800V Ur 900V
Cn (μF)	W (মিমি)	টি (মিমি)	H (মিমি)	dv/dt (V/μS)	আইপি (কেএ)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	ওজন (কেজি)
২×১২০০	৩৪০	১৭৫	৯৫০	15	২×১৮	২×২০০	১.০	০.৫	95