• বিবিবি

পিভি ইনভার্টারের জন্য ডিজাইন করা পিসিবি মাউন্টেড ডিসি লিঙ্ক ফিল্ম ক্যাপাসিটর

সংক্ষিপ্ত বিবরণ:

১. প্লাস্টিক আবরণে আবদ্ধকরণ, শুষ্ক রেজিন প্রবেশ করানো;

২. পিনযুক্ত লিড, সুসংহত গঠন, সহজে স্থাপনযোগ্য;

৩. নিম্ন ESL এবং ESR;

৪. উচ্চ স্পন্দন প্রবাহ।

৫. ইউএল সনদপ্রাপ্ত;

৬. সর্বোচ্চ কার্যকরী তাপমাত্রা: -৪০ ~ +১০৫℃

 


পণ্যের বিবরণ

পণ্যের ট্যাগ

ডিএমজে-পিএস সিরিজ

এসি/ডিসি পাওয়ার কনভার্টার এবং ইনভার্টারে ব্যবহৃত ডিসি লিঙ্ক ফিল্টারিং ক্যাপাসিটর।

স্ব-আরোগ্যকারী, শুষ্ক-ধরণের ক্যাপাসিটর উপাদানগুলি বিশেষভাবে প্রোফাইল করা, ধাতব প্রলেপযুক্ত পিপি ফিল্ম ব্যবহার করে তৈরি করা হয়, যা কম স্ব-আবেশ, উচ্চ ফেটে যাওয়ার প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে। অতিরিক্ত চাপে সংযোগ বিচ্ছিন্ন করা প্রয়োজনীয় বলে মনে করা হয় না। ক্যাপাসিটরের উপরিভাগ স্ব-নির্বাপক পরিবেশ-বান্ধব ইপোক্সি দিয়ে সিল করা থাকে। এর বিশেষ নকশা অত্যন্ত কম স্ব-আবেশ নিশ্চিত করে।

IMG_0631.HEIC

স্পেসিফিকেশন টেবিল

ভোল্টেজ ৫৫০ ভোল্ট ডিসি (৮৫℃) ৬০০ ভোল্ট (৭০℃)
সিএন (ইউএফ) তারের সংখ্যা φD (মিমি) L(মিমি)±১ টি(মিমি)±১ H(মিমি)±১ পিচ (মিমি) ESR (mΩ) ESL (nH) dv/dt (V/μS) আইপিকে (এ) Irms(A) (@10KHz 85℃)
P1 P2
4 2 ০.৮ 32 11 21 ২৭.৫ ২০.৫ 10 75 ৩০০ 4
7 2 ০.৮ 32 15 25 ২৭.৫ ১১.৫ 10 75 ৫২৫ ৬.৫
10 2 1 32 18 28 ২৭.৫ 8 10 75 ৭৫০ 9
12 2 1 32 21 31 ২৭.৫ 7 10 75 ৯০০ 10
20 2 ১.২ ৪২.৫ ২৪.৫ ২৭.৫ ৩৭.৫ 7 10 40 ৮০০ 11
30 4 ১.২ ৪২.৫ 24 44 ৩৭.৫ ২০.৩ ৬.৫ 10 40 ১২০০ 15
45 4 ১.২ ৪২.৫ 29 37 ৩৭.৫ ২০.৩ 6 10 40 ১৮০০ 17
60 4 ১.২ ৪২.৫ 30 45 ৩৭.৫ ২০.৩ ৪.৫ 15 40 ২৪০০ ১৮.৫
60 4 ১.২ ৪২.৫ 33 45 ৩৭.৫ ২০.৩ ৪.৫ 15 40 ২৪০০ ১৮.৫
75 4 ১.২ ৪২.৫ 35 50 ৩৭.৫ ২০.৩ 3 15 20 ১৫০০ 19
75 4 ১.২ ৫৭.৫ 30 45 ৫২.৫ ২০.৩ ৩.২ 15 20 ১৫০০ 18
১০০ 4 ১.২ ৪২.৫ 40 55 ৩৭.৫ ২০.৩ ২.৮ 15 20 ২০০০ 20
১০০ 4 ১.২ ৫৭.৫ 35 50 ৫২.৫ ২০.৩ 3 15 20 ২০০০ 22
১১০ 4 ১.২ ৫৭.৫ 35 50 ৫২.৫ ২০.৩ 3 15 20 ২২০০ 23
১২০ 4 ১.২ ৫৭.৫ 38 54 ৫২.৫ ২০.৩ ২.৮ 15 20 ২৪০০ 25
১৫০ 4 ১.২ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ৫২.৫ ২০.৩ ২.৫ 15 20 ৩০০০ 28
১৫০ 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 55 ৫২.৫ ২০.৩ ২.৫ 15 20 ৩০০০ 28
২০০ 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 65 ৫২.৫ ২০.৩ ২.৩ 15 20 ৪০০০ 28
ভোল্টেজ ৭০০ভি.ডিসি (৮৫℃) ৮০০ভি (৭০℃)
সিএন (ইউএফ) তারের সংখ্যা φD (মিমি) L(মিমি)±১ টি(মিমি)±১ H(মিমি)±১ পিচ (মিমি) ESR (mΩ) ESL (nH) dv/dt (V/μS) আইপিকে (এ) Irms(A) (@10KHz 85℃)
P1 P2
3 2 ০.৮ 32 11 21 ২৭.৫ 23 10 75 ২২৫ 4
5 2 ০.৮ 32 15 25 ২৭.৫ 14 10 75 ৩৭৫ 6
8 2 1 32 18 28 ২৭.৫ ৮.৫ 10 75 ৬০০ ৮.৫
10 2 1 32 21 31 ২৭.৫ 7 10 75 ৭৫০ 10
10 2 ১.২ ৪২.৫ ২৪.৫ ২৭.৫ ৩৭.৫ 10 10 40 ৪০০ 10
20 4 ১.২ ৪২.৫ 24 44 ৩৭.৫ ২০.৩ ৭.৫ 10 40 ৮০০ 12
25 4 ১.২ ৪২.৫ 29 37 ৩৭.৫ ২০.৩ 6 10 40 ১০০০ 12
40 4 ১.২ ৪২.৫ 33 45 ৩৭.৫ ২০.৩ ৫.৫ 10 40 ১৬০০ 13
40 4 ১.২ ৫৭.৫ 30 45 ৫২.৫ ২০.৩ 6 15 20 ৮০০ 15
45 4 ১.২ ৪২.৫ 35 50 ৩৭.৫ ২০.৩ 5 10 40 ১৮০০ 15
50 4 ১.২ ৫৭.৫ 30 45 ৫২.৫ ২০.৩ ৫.৫ 15 20 ১০০০ 18
55 4 ১.২ ৪২.৫ 40 55 ৩৭.৫ ২০.৩ ৪.৫ 10 40 ২২০০ 18
60 4 ১.২ ৫৭.৫ 35 50 ৫২.৫ ২০.৩ 5 15 20 ১২০০ 20
75 4 ১.২ ৫৭.৫ 35 50 ৫২.৫ ২০.৩ ৪.৫ 15 20 ১৫০০ 22
80 4 ১.২ ৫৭.৫ 38 54 ৫২.৫ ২০.৩ 4 15 20 ১৬০০ 22
90 4 ১.২ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ৫২.৫ ২০.৩ ৩.৫ 15 20 ১৮০০ 25
১০০ 4 ১.২ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ৫২.৫ ২০.৩ ৩.২ 15 20 ২০০০ ২৭.৫
১০০ 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 55 ৫২.৫ ২০.৩ ৩.২ 15 20 ২০০০ ২৭.৫
১১০ 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 65 ৫২.৫ ২০.৩ 3 15 20 ২২০০ 28
ভোল্টেজ ৮০০ ভোল্ট ডিসি (৮৫℃) ৯০০ ভোল্ট (৭০℃)
সিএন (ইউএফ) তারের সংখ্যা φD (মিমি) L(মিমি)±১ টি(মিমি)±১ H(মিমি)±১ পিচ (মিমি) ESR (mΩ) ESL (nH) dv/dt (V/μS) আইপিকে (এ) Irms(A) (@10KHz 85℃)
P1 P2
2 2 ০.৮ 32 11 21 ২৭.৫ 31 10 75 ১৫০ ৩.৫
4 2 ০.৮ 32 15 25 ২৭.৫ ১৫.৫ 10 75 ৩০০ ৫.৫
6 2 1 32 18 28 ২৭.৫ ১০.৫ 10 75 ৪৫০ ৭.৫
8 2 1 32 21 31 ২৭.৫ 8 10 75 ৬০০ ৯.৫
15 2 ১.২ ৪২.৫ 24 44 ৩৭.৫ 10 10 40 ৬০০ 10
20 4 ১.২ ৪২.৫ 29 37 ৩৭.৫ ২০.৩ ৭.৫ 10 40 ৮০০ 12
30 4 ১.২ ৪২.৫ 33 45 ৩৭.৫ ২০.৩ ৪.৫ 10 40 ১২০০ 16
35 4 ১.২ ৫৭.৫ 30 45 ৫২.৫ ২০.৩ ৫.৫ 15 20 ৭০০ 14
45 4 ১.২ ৪২.৫ 35 50 ৩৭.৫ ২০.৩ ৪.২ 10 40 ১৮০০ 17
50 4 ১.২ ৫৭.৫ 35 50 ৫২.৫ ২০.৩ ৪.৫ 15 20 ১০০০ 18
55 4 ১.২ ৪২.৫ 40 55 ৩৭.৫ ২০.৩ 4 10 40 ২২০০ 18
60 4 ১.২ ৫৭.৫ 38 54 ৫২.৫ ২০.৩ ৪.৫ 15 20 ১২০০ 20
70 4 ১.২ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ৫২.৫ ২০.৩ ৩.৫ 15 20 ১৪০০ 22
75 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 55 ৫২.৫ ২০.৩ ৩.২ 15 20 ১৫০০ 24
85 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 65 ৫২.৫ ২০.৩ 3 15 20 ১৭০০ 26
ভোল্টেজ ১১০০ ভোল্ট ডিসি (৮৫℃) ১২০০ ভোল্ট (৭০℃)
সিএন (ইউএফ) তারের সংখ্যা φD (মিমি) L(মিমি)±১ টি(মিমি)±১ H(মিমি)±১ পিচ (মিমি) ESR (mΩ) ESL (nH) dv/dt (V/μS) আইপিকে (এ) Irms(A) (@10KHz 85℃)
P1 P2
1 2 ০.৮ 32 11 21 ২৭.৫ ৪৫.৫ 10 95 95 3
2 2 ০.৮ 32 15 25 ২৭.৫ 23 10 95 ১৯০ ৪.৫
3 2 1 32 18 28 ২৭.৫ ১৫.৫ 10 95 ২৮৫ 6
4 2 1 32 21 31 ২৭.৫ ১১.৫ 10 95 ৩৮০ 8
10 2 ১.২ ৪২.৫ 24 44 ৩৭.৫ 11 10 40 ৪২৯ 11
15 4 ১.২ ৪২.৫ 29 37 ৩৭.৫ ২০.৩ 8 10 40 ৬০০ 15
20 4 ১.২ ৪২.৫ 30 45 ৩৭.৫ ২০.৩ 5 10 40 ৮০০ 18
20 4 ১.২ ৪২.৫ 33 45 ৩৭.৫ ২০.৩ 5 10 40 ৮০০ 18
20 4 ১.২ ৫৭.৫ 30 45 ৫২.৫ ২০.৩ 7 15 25 ৫০০ 15
25 4 ১.২ ৫৭.৫ 35 50 ৫২.৫ ২০.৩ 6 15 25 ৬২৫ 17
30 4 ১.২ ৫৭.৫ 35 50 ৫২.৫ ২০.৩ 5 15 25 ৭৫০ 18
35 4 ১.২ ৪২.৫ 35 50 ৩৭.৫ ২০.৩ ৪.৫ 10 40 ১৪০০ 19
40 4 ১.২ ৫৭.৫ 35 50 ৫২.৫ ২০.৩ 5 15 25 ১০০০ 18
45 4 ১.২ ৫৭.৫ 38 54 ৫২.৫ ২০.৩ ৪.৫ 15 25 ১১২৫ ১৮.৫
50 4 ১.২ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ৫২.৫ ২০.৩ ৩.৫ 15 25 ১২৫০ 20
55 4 ১.২ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ৫২.৫ ২০.৩ ৩.৫ 15 25 ১৩৭৫ 21
60 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 55 ৫২.৫ ২০.৩ ৩.২ 15 25 ১৫০০ 22
70 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 65 ৫২.৫ ২০.৩ 3 15 25 ১৭৫০ 24
ভোল্টেজ ১২০০ ভোল্ট ডিসি (৮৫℃) ১৫০০ ভোল্ট (৭০℃)
সিএন (ইউএফ) তারের সংখ্যা φD (মিমি) L(মিমি)±১ টি(মিমি)±১ H(মিমি)±১ পিচ (মিমি) ESR (mΩ) ESL (nH) dv/dt (V/μS) আইপিকে (এ) Irms(A) (@10KHz 85℃)
P1 P2
1 2 ০.৮ 32 11 21 ২৭.৫ 43 10 ১০০ ১০০ 3
2 2 ০.৮ 32 15 25 ২৭.৫ ২১.৫ 10 ১০০ ২০০ 5
3 2 1 32 18 28 ২৭.৫ ১৪.৫ 10 ১০০ ৩০০ ৬.৫
4 2 1 32 21 31 ২৭.৫ 11 10 ১০০ ৪০০ 8
12 4 ১.২ ৪২.৫ 30 45 ৩৭.৫ ২০.৩ 5 10 50 ৬০০ 15
12 4 ১.২ ৫৭.৫ 30 45 ৫২.৫ ২০.৩ 11 15 40 ৪৮০ 13
18 4 ১.২ ৪২.৫ 35 50 ৩৭.৫ ২০.৩ ৪.৫ 10 50 ৯০০ 18
20 4 ১.২ ৪২.৫ 40 55 ৩৭.৫ ২০.৩ 7 15 50 ১০০০ 16
20 4 ১.২ ৫৭.৫ 35 50 ৫২.৫ ২০.৩ 8 15 40 ৮০০ 17
25 4 ১.২ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ৫২.৫ ২০.৩ 7 15 40 ১০০০ 20
40 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 55 ৫২.৫ ২০.৩ 6 15 25 ১০০০ 22
45 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 65 ৫২.৫ ২০.৩ ৫.৫ 15 25 ১১২৫ 24
ভোল্টেজ ১৮০০ ভোল্ট ডিসি (৮৫℃) ২০০০ ভোল্ট (৭০℃)
সিএন (ইউএফ) তারের সংখ্যা φD (মিমি) L(মিমি)±১ টি(মিমি)±১ H(মিমি)±১ পিচ (মিমি) ESR (mΩ) ESL (nH) dv/dt (V/μS) আইপিকে (এ) Irms(A) (@10KHz 85℃)
P1 P2
6 4 ১.২ ৪২.৫ 30 45 ৩৭.৫ ২০.৩ 24 10 ১০০ ৬০০ 5
8 4 ১.২ ৪২.৫ 35 50 ৩৭.৫ ২০.৩ 20 10 ১০০ ৮০০ 8
10 4 ১.২ ৪২.৫ 40 55 ৩৭.৫ ২০.৩ 18 10 ১০০ ১০০০ 10
8 4 ১.২ ৫৭.৫ 30 45 ৫২.৫ ২০.৩ 12 15 50 ৪০০ 13
10 4 ১.২ ৫৭.৫ 35 50 ৫২.৫ ২০.৩ 10 15 50 ৫০০ 17
15 4 ১.২ ৫৭.৫ ৪২.৫ 56 ৫২.৫ ২০.৩ 8 15 50 ৭৫০ 20
18 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 55 ৫২.৫ ২০.৩ ৭.৫ 15 50 ৯০০ 21
20 4 ১.২ ৫৭.৫ 45 65 ৫২.৫ ২০.৩ 7 15 45 ৯০০ 22

আবেদন

১. ডিসি-লিঙ্ক সার্কিটে ফিল্টারিং শক্তি সঞ্চয়ের জন্য ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়;

২. ইলেকট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরের বিকল্প হিসেবে ব্যবহার করা যায়, ফলে উন্নত কর্মক্ষমতা ও দীর্ঘস্থায়ীত্ব পাওয়া যায়।

৩. পিভি ইনভার্টার, উইন্ড পাওয়ার কনভার্টার, এবং সব ধরনের ফ্রিকোয়েন্সি কনভার্টার ও ইনভার্টার পাওয়ার সাপ্লাই; সম্পূর্ণ বৈদ্যুতিক এবং হাইব্রিড গাড়ি; চার্জিং পাইল, ইউপিএস, ইত্যাদি।


  • পূর্ববর্তী:
  • পরবর্তী:

  • আমাদের কাছে আপনার বার্তা পাঠান:

    আপনার বার্তাটি এখানে লিখে আমাদের কাছে পাঠিয়ে দিন।

    আমাদের কাছে আপনার বার্তা পাঠান: