উচ্চ ক্ষমতা সম্পন্ন সিস্টেমের জন্য ডিজাইন করা উন্নত এমবেডেড পিসিবি ক্যাপাসিটর

সংক্ষিপ্ত বিবরণ:

AKMJ-PS সিরিজটি পিন টার্মিনালসহ ডিজাইন করা হয়েছে এবং এটি পিসিবি বোর্ডে মাউন্ট করা হয়। এটি পাওয়ার ইলেকট্রনিক সরঞ্জামগুলিতে এসি ফিল্টার হিসেবে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

আমাদেরকে ইমেল পাঠান পিডিএফ হিসাবে ডাউনলোড করুন

পণ্যের বিবরণ

পণ্যের ট্যাগ

প্রযুক্তিগত তথ্য

কার্যকরী তাপমাত্রার পরিসর	সর্বোচ্চ কার্যকরী তাপমাত্রা, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: +১০৫℃ উচ্চ শ্রেণীর তাপমাত্রা: +৮৫℃ নিম্ন শ্রেণীর তাপমাত্রা: -৪০℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসর	৩～৫০μF
রেট করা ভোল্টেজ	২০০ভি.এসি～৪৫০ভি.এসি
ক্যাপ.টল	±৫%(J) ;±১০%(K)
সহনশীল ভোল্টেজ	2Un DC/10S
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.0015f=1KHz
নিরোধক প্রতিরোধ	RS*C≥5000S(২০℃ তাপমাত্রায় ১০০V.DC৬০S)
শিখা মন্দন	UL94V-0
আয়ুষ্কাল	100000h(Un; Θhotspot≤70 °C)
রেফারেন্স স্ট্যান্ডার্ড	আইইসি৬১০৭১;
কার্যকরী তাপমাত্রার পরিসর	সর্বোচ্চ কার্যকরী তাপমাত্রা, শীর্ষ, সর্বোচ্চ: +১০৫℃ উচ্চ শ্রেণীর তাপমাত্রা: +৮৫℃ নিম্ন শ্রেণীর তাপমাত্রা: -৪০℃
ক্যাপাসিট্যান্স পরিসর	৩～৫০μF
রেট করা ভোল্টেজ	২০০ভি.এসি～৪৫০ভি.এসি
ক্যাপ.টল	±৫%(J) ;±১০%(K)
সহনশীল ভোল্টেজ	2Un DC/10S
অপচয় ফ্যাক্টর	tgδ≤0.0015f=1KHz
নিরোধক প্রতিরোধ	RS*C≥5000S(২০℃ তাপমাত্রায় ১০০V.DC৬০S)
শিখা মন্দন	UL94V-0
আয়ুষ্কাল	100000h(Un; Θhotspot≤70 °C)

বৈশিষ্ট্য

১. শুষ্ক ফিল্ম নির্মাণ;
২. টিনযুক্ত তামার তারের লিড; ছোট আকার; সহজে স্থাপনযোগ্য।
৩. নিম্ন ESL এবং ESR;
৪. উচ্চ স্পন্দন প্রবাহ।

আবেদন

১. ডিসি-লিঙ্ক সার্কিটে ফিল্টারিং শক্তি সঞ্চয়ের জন্য ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়;
২. ইলেকট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরের বিকল্প হিসেবে ব্যবহার করা যায়, ফলে উন্নত কর্মক্ষমতা ও দীর্ঘস্থায়ীত্ব পাওয়া যায়।
৩. পিভি ইনভার্টার, উইন্ড পাওয়ার কনভার্টার; সব ধরনের ফ্রিকোয়েন্সি কনভার্টার ও ইনভার্টার পাওয়ার সাপ্লাই;
সম্পূর্ণ বৈদ্যুতিক ও হাইব্রিড গাড়ি; চার্জিং পাইল, ইউপিএস, ইত্যাদি।

রূপরেখা অঙ্কন

fff

	(মিমি)
Cn(μF)	এল(±১)	টি(±১)	H(±1)	φd	P1	P2	ESR @10KHz (mΩ)	dv/dt (V/μS)	আইপিকে(এ)	আইআরএমএস @৪০℃ @১০ কিলোহার্টজ (এ)
20	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		২.৩	30	৬০০	12
20	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	১.৮	30	৬০০	22
25	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫		৩.৮	17	৪২৫	12
25	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	২০.৩	৩.২	17	৪২৫	22
30	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫		৩.৫	17	৫১০	12
30	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৯	17	৫১০	22
30	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৮	17	৫১০	25
33	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		৩.৩	17	৫৬১	12
33	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৭	17	৫৬১	22
33	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৬	17	৫৬১	28
35	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		৩.২	17	৫৯৫	12
35	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৬	17	৫৯৫	22
35	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৫	17	৫৯৫	30
40	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		3	17	৬৮০	12
40	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৪	17	৬৮০	22
40	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৩	17	৬৮০	30
45	৫৭.৫	38	54	১.০	৫২.৫		২.৮	17	৭৬৫	12
45	৫৭.৫	38	54	১.০	৫২.৫	২০.৩	২.৩	17	৭৬৫	22
45	৫৭.৫	38	54	১.০	৫২.৫	১০.২	২.২	17	৭৬৫	32
50	৫৭.৫	৪২.৫	56	১.২	৫২.৫		২.৭	17	৮৫০	12
50	৫৭.৫	৪২.৫	56	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.২	17	৮৫০	22
50	৫৭.৫	৪২.৫	56	১.২	৫২.৫	১০.২	২.১	17	৮৫০	32

ভোল্টেজ			ইউএন ৪০০ভি.ডিসি, ইউআরএমএস ২৫০ভিএসি; ইউএস ৮০০ভি
	(মিমি)
Cn(μF)	এল(±১)	টি(±১)	H(±1)	φd	P1	P2	ESR(mΩ)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	ইর্মস
10	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	১.২	৩৭.৫		২.৬	40	৪০০	12
10	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	১.২	৩৭.৫	২০.৩	2	40	৪০০	23
15	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		২.৩	40	৬০০	28
15	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	১.৮	40	৬০০	28
15	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	১০.২	১.৭	40	৬০০	28
18	৪২.৫	33	45	১.২	৩৭.৫		২.২	40	৭২০	15
18	৪২.৫	33	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	১.৭	40	৭২০	15
18	৪২.৫	33	45	১.২	৩৭.৫	১০.২	১.৬	40	৭২০	15
20	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫		৩.৫	20	৪০০	25
20	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৯	20	৪০০	25
20	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৮	20	৪০০	25
25	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		৩.৪	20	৫০০	28
25	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৮	20	৫০০	28
25	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৭	20	৫০০	28
30	৫৭.৫	38	54	১.২	৫২.৫		৩.২	20	৬০০	25
30	৫৭.৫	38	54	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৭	20	৬০০	25
30	৫৭.৫	38	54	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৬	20	৬০০	25

ভোল্টেজ			ইউএন ৬০০ভি.ডিসি, ইউআরএমএস ৩৩০ভিএসি; ইউএস ১২০০ভি
		(মিমি)
Cn(μF)	এল(±১)	টি(±১)	H(±1)	φd	P1	P2	ESR(mΩ)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	ইর্মস
5	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	১.২	৩৭.৫		৩.১	55	২৭৫	12
5	৪২.৫	৩৩.৫	৩৫.৫	১.২	৩৭.৫	২০.৩	২.৫	55	২৭৫	20
৬.৮	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		২.৮	55	৩৭৪	12
৬.৮	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	২.২	55	৩৭৪	22
9	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		২.৬	55	৪৯৫	12
9	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	২.২	55	৪৯৫	22
9	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	১০.২	১.৯	55	৪৯৫	28
10	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫		৪.২	30	৩০০	22
10	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	২০.৩	৩.৭	30	৩০০	25
15	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		৩.৬	30	৪৫০	12
15	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৮	30	৪৫০	20
15	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৭	30	৪৫০	28

ভোল্টেজ			ইউএন ৭০০ভি.ডিসি, ইউআরএমএস ৪০০ভিএসি; ইউএস ১৪০০ভি
		(মিমি)
Cn(μF)	এল(±১)	টি(±১)	H(±1)	φd	P1	P2	ESR(mΩ)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	ইর্মস
৪.৭	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		3	70	৩২৯	12
৪.৭	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	২.৪	70	৩২৯	22
5	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		২.৯	70	৩৫০	12
5	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	২.৩	70	৩৫০	22
6	৪২.৫	33	45	১.২	৩৭.৫		২.৮	70	৪২০	12
6	৪২.৫	33	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	২.২	70	৪২০	22
8	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		৪.২	40	৩২০	12
8	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	৩.৬	40	৩২০	22
8	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	৩.৫	40	৩২০	28
10	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		৩.৯	40	৪০০	12
10	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	৩.৩	40	৪০০	22
10	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	৩.২	40	৪০০	30
15	৫৭.৫	38	54	১.২	৫২.৫		৩.৬	40	৬০০	12
15	৫৭.৫	38	54	১.২	৫২.৫	২০.৩	৩.১	40	৬০০	22
15	৫৭.৫	38	54	১.২	৫২.৫	১০.২	3	40	৬০০	30

ভোল্টেজ			ইউএন ৮৫০ভি.ডিসি, ইউআরএমএস ৪৫০ভি.এসি; ইউএস ১৭০০ভি
		(মিমি)
Cn(μF)	এল(±১)	টি(±১)	H(±1)	φd	P1	P2	ESR(mΩ)	dv/dt(V/μS)	আইপিকে(এ)	ইর্মস
3	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		২.৪	১১০	৩৩০	12
3	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	১.৮	১১০	৩৩০	22
3	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	১০.২	১.৭	১১০	৩৩০	25
৩.৩	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫		২.৩	১১০	৩৬৩	12
৩.৩	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	২০.৩	১.৭	১১০	৩৬৩	22
৩.৩	৪২.৫	30	45	১.২	৩৭.৫	১০.২	১.৬	১১০	৩৬৩	28
4	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫		৩.১	55	২২০	12
4	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৫	55	২২০	22
4	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৪	55	২২০	28
৪.৭	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫		3	55	২৫৮.৫	12
৪.৭	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.৪	55	২৫৮.৫	22
৪.৭	৫৭.৫	30	45	১.২	৫২.৫	১০.২	২.৩	55	২৫৮.৫	30
৫.৬	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫		২.৯	55	৩০৮	12
৫.৬	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	২০.৩	২.২	55	৩০৮	22
৫.৬	৫৭.৫	35	50	১.২	৫২.৫	১০.২	২.২	55	৩০৮	31
6	৫৭.৫	35	50	১.২	৩৭.৫		২.৮	55	৩৩০	12
6	৫৭.৫	35	50	১.২	৩৭.৫	২০.৫	২.১	55	৩৩০	22
6	৫৭.৫	35	50	১.২	৩৭.৫	১০.২	2	55	৩৩০	32
৬.৮	৫৭.৫	৪২.৫	56	১.২	৩৭.৫		২.৫	55	৩৭৪	12
৬.৮	৫৭.৫	৪২.৫	56	১.২	৩৭.৫	২০.৩	১.৯	55	৩৭৪	22
৬.৮	৫৭.৫	৪২.৫	56	১.২	৩৭.৫	১০.২	১.৮	55	৩৭৪	32