金属化フィルムIGBTスナバコンデンサ

簡単な説明：

1. プラスチックケース、樹脂で密封。

2. 錫メッキ銅インサートリードにより、IGBTの取り付けが容易です。

3. 高電圧耐性、低tgδ、低温度上昇。

4. 低いESLおよびESR；

5. 高パルス電流。

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製品詳細

商品タグ

SMJ-Pシリーズ

パワーエレクトロニクスの応用において、スナバコンデンサは、電気配線の寄生インダクタンスを低減する目的で、大電流スイッチングノードに接続される。

寄生インダクタンスは、スイッチオフ時（電流が遮断された時）に大きなサージ電圧を発生させ、そのようなサージ電圧が部品の定格値を超えると、最悪の場合、故障につながる恐れがある。

SMJ-Pシリーズは、低インダクタンスの内部構造、オプションの成形樹脂ケース、およびカスタマイズされた端子を採用することで、高速スイッチングIGBTS向けに設計されており、スナバ回路や高電流高周波入力フィルタとしても機能します。

技術データ

電圧	Un 700V DC、Urms400Vac、Us1050V
	寸法（mm）
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR（100kHz）（mΩ）	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
電圧	Un 1000V DC、Urms500Vac、Us1500V
	寸法（mm）
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR（mΩ）	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	イルムス
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
電圧	Un 1200V DC、Urms550Vac、Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR（mΩ）	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	イルムス
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
電圧	Un 1700V DC、Urms575Vac、Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR（mΩ）	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	イルムス
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
電圧	Un 2000V DC、Urms700Vac、Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR（mΩ）	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	イルムス
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
電圧	Un 3000V DC、Urms750Vac、Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR（mΩ）	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	イルムス
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28